AMB陶瓷PCB
基材類(lèi)型: AIN 陶瓷
基材厚度:0.3-3.0mm
導(dǎo)電層:銅、鎳、金
金屬層厚度:35-400um
表面處理: 鎳金
金屬:1L導(dǎo)電孔:0.2mm
導(dǎo)電孔線(xiàn)寬:0.1mm
應(yīng)用:大功率元件
AMB陶睿PCB(活件金屬釬焊)是利用含有少量活件元素的金屬針焊材料將銅踏與陶瓷片緊密悍接的工藝。AMB釬料中添加的少量活性元表具有較育
的活性，可以提高針料焙化后對(duì)陶瓷
的潤(rùn)濕性，使陶瓷表面無(wú)需金屬化即可與金屬實(shí)現(xiàn)良好的焊接。
與DBC陶資PCB相比，通過(guò)釬焊實(shí)現(xiàn)陶瓷表面鍍銅的AMB基板具有更高的結(jié)合強(qiáng)度和更好的可靠性，AMB陶睿PCB中的陶瓷一般為S3N4陶瓷和AIN
陶瓷，其導(dǎo)熱系數(shù)(S;3N4AMB>80
WMmK，AINAMB>170 Wm·K)遠(yuǎn)高于A(yíng)1203 DBC(24W/m:K)·K)。此外，Si3N4 AMB還具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度。
新能源汽車(chē)的爆發(fā)式發(fā)展也帶來(lái)了汽車(chē)電源模塊需求的快速增長(zhǎng)。與此同時(shí)，SiC功率器件逐漸成熟并開(kāi)始廣泛應(yīng)用，這也推動(dòng)著功率模塊功率密度
的不斷提升。因此，對(duì)封裝材料的散
熱性能、機(jī)械強(qiáng)度、可靠性等提出了更高的要求。AMB陶瓷PCB，特別是Si3N4AMB陶瓷PCB很好地滿(mǎn)足了汽車(chē)SiC功率模塊的性能要求。
AMB陶瓷PCB是基于DBC技術(shù)開(kāi)發(fā)的。在800℃左右的高溫下，含有活性元素T、2r的AgCu焊料在陶瓷與金屬的界面潤(rùn)濕反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷與金屬
的異質(zhì)結(jié)合
由于A(yíng)MB氙化傳基板具有高導(dǎo)熱率 (>90WhK)，非常厚的銅金屬(星度可達(dá)08mm)可以唱接到相對(duì)較薄的家化硅聞瓷上，從而獲得高載流能力。并昌
家化硨陶瓷襯底的熱感脹系數(shù)接近
第三代半導(dǎo)體襯底Si℃C晶體，使其與SiC晶體材料的匹配更加穩(wěn)定。因此，它已成為SiC半導(dǎo)體導(dǎo)熱:基板的首選材料，尤其在800V以上的高端新能源
汽車(chē)中不可或缺。
AMB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁、氮化磚陶瓷與銅片的疊層，與DBC襯墊相比，具有更好的導(dǎo)熱性、銅層附著力、可靠件等，可以大大提高陶瓷襯墊的可靠性
更適合大功率、大電流的應(yīng)用場(chǎng)
景，已逐漸成為中高端|GBT模塊散熱電路板的主要應(yīng)用類(lèi)型，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、航空航天、軌道交通、工業(yè)電網(wǎng)、 ETC。
與傳統(tǒng)陶瓷PCB相比，
AMB陶瓷PCB依靠陶瓷與活性金屬焊育在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)鍵合，從而實(shí)現(xiàn)更高的鍵合強(qiáng)度和更好的可靠性。
它們非常適合連接器或具有高載流和散熱要求的場(chǎng)錄。
尤其
是新能源汽車(chē)、軌道交通、
風(fēng)力發(fā)電、
光伏
5G通信等性能要求嚴(yán)格的電力電子和大功率電子塊，對(duì)AMB陶瓷PCB有著巨大的需求。